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中国科学院半导体研究所^[1] 是集半导体物理、材料、器件及其应用研究于一体的半导体科学技术的综合性研究所。半导体所设有：半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体照明研发中心，半导体材料科学中心，半导体材料科学重点实验室，光电子研究发展中心，半导体集成技术工程研究中心，光电子器件国家工程研究中心，高速电路与神经网络实验室，表面物理国家重点实验室（半导体所区），纳米光电子实验室，全固态光源实验室、光电系统实验室、图书信息中心。其中有两个***研究中心，三个国家重点实验室，一个中国科学院院级研发中心和一个院级重点实验室。

半导体所现有中科镓英半导体有限公司、扬州中科半导体照明有限公司、苏州中科半导体集成技术研发中心等合资公司。

为了适应知识**的需要，经过学科调整和目标凝练，主要研究领域包括：光电子及其集成技术；体材料、薄膜材料、微结构半导体材料科学技术；低维量子体系和量子工程、量子器件的基础研究；半导体人工神经网络和特种微电子技术。

半导体所共有10名中国科学院院士（已故两位），2名中国工程院院士，其中已故黄昆院士荣获2001年度国家*高科学技术奖。

半导体所现有职工640余人，其中科技人员460余人，正副研究员及**工程技术人员198名，千人计划2人，“百人计划”入选者及国家“杰青”获得者35名、国家百千万人才工程入选者6名。

半导体所是国家首批建立的博士后流动站设站单位和博士、硕士学位授予单位，设有三个博士后流动站、四个博士学科专业点、五个硕士学科专业点。在读研究生共540余名，其中博士研究生285名，博士后在站人员近30名，研究生已经成为半导体所科研工作的生力军。

1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地，国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所（以下简称半导体所），开启了中国半导体科学技术的发展之路。

半导体所拥有两个***研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；三个国家重点实验室—半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半导体所区）；两个院级实验室（中心）—半导体材料科学重点实验室、中科院半导体照明研发中心。此外，还设有半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、半导体材料科学中心、高速电路与神经网络实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室和半导体能源研究发展中心。并成立了图书信息中心，为研究所提供科研支撑服务。

半导体研究所现有职工640余名，其中科技人员460余名，中国科学院院士8名，中国工程院院士2名，正副研究员及**工程技术人员198名，“百人计划”入选者及国家“杰青”获得者35名、国家百千万人才工程入选者6名。其中黄昆先生荣获2001年度国家*高科学技术奖。设有5个硕士学位授予点，3个工程硕士培养点，4个博士学位授予点，3个博士后流动站。

半导体所高度重视国内外交流合作，与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发（转移）中心、9个联合实验室，积极为企业和区域经济社会发展服务。同时积极开展多层次、全方位的国际学术交流与合作，成绩显著，科学技术部和国家外国专家局批准成立“***国际联合研究中心”。并且以自主知识产权的**和专有技术投资，融合社会资本建立了10余家高技术企业，并实施科研成果转化为现实生产力，已初步形成产业化、商品化规模。

半导体所秉承“以人为本、**跨越、唯真求实、和谐发展”的办所理念，奋斗不息，勇攀高峰，取得了快速发展，研究所已逐渐发展成为集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的***半导体科学技术的综合性研究机构。

半导体所的中长期发展战略目标是：开展与国家发展密切相关的、世界科技前沿的基础性、前瞻性、战略性科技**活动，为发展我国的高新技术提供源源不断的动力；以国家战略需求为导向，开展战略高技术研究，为国民经济和国防建设提供科技支撑，并为相关行业的技术进步作出贡献；吸引、聚集和培养国际**人才；建立具有******的、开放的实验研究和测试平台，实现科技**能力的跨越和持续发展，成为**我国半导体科学技术发展的火车头。